Silicon Power
Speichermodule

Silicon Power SP001GBFRE667S01

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Silicon Power SP001GBFRE667S01 Wertung: 0
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Verarbeitung
Preis-Leistung
Benutzerfreundlichkeit

Technische Eigenschaften und Daten

Allgemeine Merkmale
Arbeitsspeicher Typ: DDR2;
Form-Faktor: FB-DIMM 240 pin;
Taktfrequenz: 667 MHz;
Bandbreite: 5300 MB/s;
Volumen: 1 Modul mit 1 GB;
ECC Unterstützung: ja;
UN Buffered Speicher (Registriert): ja;
Low Profile Bracket (Low-Profile): Nein;
Timings
CAS Latency (CL): 5;
RAS to CAS Delay (tRCD): 5;
Row Precharge Delay (tRP): 5;
Zusätzlich
Die Anzahl der chips der einzelnen module: 9;
Versorgungsspannung: 1.8;
Radiator: ja;
 
 
 
 
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Datenblatt
  • 1 DDR2-Speicher-Modul
  • das Volumen der module 4 GB
  • Formfaktor DIMM 240-pin
  • Frequenz 800 MHz
  • ECC-Unterstützung
  • CAS Latency (CL): 6
 
 
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Datenblatt
  • 2-Modul DDR2-Speicher
  • das Volumen der module 1 GB
  • Formfaktor DIMM 240-pin
  • Frequenz 800 MHz
  • Heizkörper für zusätzliche Kühlung
  • CAS Latency (CL): 3
 
 
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Datenblatt
  • 1 Modul DDR-Speicher
  • das Volumen der module 128 MB
  • Formfaktor DIMM
  • Frequenz von 400 MHz
 
 
 

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Technische Daten
  • 1 DDR3-Speicher-Modul
  • das Volumen der module 4 GB
  • Formfaktor SODIMM, 204-polig
  • Frequenz-1600 MHz
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Technische Daten
  • 1 Modul DDR-Speicher
  • das Volumen der module 1 GB
  • Formfaktor DIMM 184-pin
  • Frequenz von 400 MHz
  • CAS Latency (CL): 3
 
 
 
 
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Maximale Sicherheit Maximale Sicherheit